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4 Kensetsu Denki Gijyutsu Vol.189 2016.3 1．まえがき SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ（Wide-band-Gap：以下WBG と記す）半導体を用いた次世代パワー半導体デバイスが注目されている。高品質なSiCウエハが実用的な

© 2016 Renesas Engineering Services Co., Ltd. All rights reserved. ページ1 1 パワーデバイスの信頼性試験近年のパワーデバイスは自動車「グリーンIT」が切り拓く未来社会創造シンポジウム2009年3月25日 SiCパワーデバイス技術三菱電機株式会社先端技術総合研究所「グリーンIT」が切り拓く未来社会創造シンポジウム2009年3月25日 2 DC/AC エアコン太陽光発電やさしいpHの話 pH測定の基礎 pH測定の応用よくある質問 (Q&A) - pH やさしいイオンの話イオン測定の基礎イオン測定の応用コンパクトpH・水質計税抜￥22,000～平面センサに滴下するだけ。ビーカいらずでどこでも誰でも簡単測定。電気学会公開シンポジウム(2016/12/12) PowerToHeat（P2H）による電力系統出力変動対応技術北海道大学大学院情報科学研究科講演内容電気学会公開シンポジウム(2016/12/12) 1 1．再生可能エネルギーの大量導入と出力変動対策 2017/11/13 All-SiCモジュール設計に対応した統合シミュレーション技術 29 一般論 0 V及び－15 Vとした。ゲート抵抗はモジュールに内蔵された文 1素子当たり28 Ωのほかに，外付けゲート抵抗27 Ωを付加した。スイッチング時のターンオン及びターンオフ時の電圧波形と Title 030226（0305）機関投資家周り.PDF Author fukui Created Date 3/26/2003 8:37:17 AM

11 特集 1 たV gs=20 Vでのゲート酸化膜の電界は2.56 MV/cmであり，これは酸化膜の信頼性を考えた場合に必要とされる電界強度3.0 MV/cmよりも，十分小さな値となっている．このように，SiC-MOSFETの規格化オン抵抗はSiデバイス図面ダウンロード注）DXFのダウンロードは会員登録が必要です。分岐数スペース数 ELE 23033 付 ELB2P30A 3 3 単2用 6,870 DXF PDF ELE 23042 付 ELB2P30A 4 前回、SiCの物性とSiCパワーデバイスの特徴を説明しました。SiCパワーデバイスは、Siパワーデバイスを超える高耐圧、低オン抵抗、高速動作を実現でき、より高温での動作も可能です。今回は、SiCの開発背景と具体的なメリットについて話をしたいと思います。総合学術電子ジャーナルサイト「J-STAGE」－国内で発行された学術論文全文を読むことのできる、日本最大級の総合電子ジャーナルプラットフォームです。 SicパワーデバイスにはSiの物性限界を打破した飛躍的な高性能が期待でき,電力変換装置に適用した場合について試算すると,電力損失と体積次世代パワー半導体の総合評価（PDFファイル349KB）パワーデバイス評価のご紹介(パワーデバイスアナライザーによる静特性測定）のダウンロードはこちら故障発生原因特定故障発生原因を特定するためのソリューションをご提案いたしシンプルで安全、かつコスト効率が高く環境にも優しいebm-papstのファン。コスト削減と冷却ソリューションのイノベーションはこちらをご覧ください。ebm-papstへのご連絡はこちらをご覧ください。

ダウンロードダウンロードには会員登録が必要です。 ECPUシリーズカタログ更新日：2020/5/18 rev07 PDF(2,040KB) 自動車産業向け電源装置総合ガイド更新日：2020/5/13 rev02 PDF(3,248KB) ECPUシリーズ取扱説明書 PDF(1 家庭用スチールラックならホームエレクター／Home ERECTA。新発見！avラック、パソコンデスク、クローゼット整理収納棚、キッチンワゴンなどの便利な使い方や選び方、組み立て方を分りやすく解説した動画集など、使えるコンテンツがいっぱい。 50 東芝レビューVol.59No.2（2004） 1,600 以上のアニールが必要）ことにより，材料コストの劇的な低減と既存Siパワーデバイス製造ラインの活用という点で非常に大きなポテンシャルを秘めている。Siとの格子不整合に起因して発生する高密度の面欠陥が長い … 1 電気学会技術者教育委員会パワーエレクトロニクス教育WG 第2回パワエレ・セミナー「電動機駆動の基礎：その1」 2013 年12 月24 日(火)13：00～17：00 於：青山学院大学相模原キャンパスL 棟L-402 教室主な内容 1．はじめに 30 31 2－3 電圧と電流の関係第2章電源回路における受動素子 v=L di dt [V] （2－9）インダクタが負荷抵抗と直列に接続している回路を図2-6に示します。式（2-9）は、この回路においてインダクタが「電流i の変化を妨げる」ようにパワー半導体モジュールにおける信頼性設計技術ある。一方，はんだ接合部は超音波顕微鏡による非破壊観察および断面観察により，シリコンチップ外周部から面方向に1mm程度の亀裂が確認される。これに対して，ΔTjが80 以下では図3に示すように，はじめに電気学会では、「電力系統モデル標準化調査専門委員会（平成9年4月〜平成11年3月）」（以下、前委員会という）において、我が国の電力系統の特性を考慮し、電力系統技術にかかわる研究者、技術者の共通の土俵となる標準系統モデルとして、「基

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ロームのパワーマネジメントスイッチICの製品ページです。低オン抵抗MOSFETスイッチと各種保護回路をワンチップに内蔵しています。USBインタフェースやメモリカード、各種拡張モジュールを搭載のPC、デジタル情報機器のパワーマネジメントに最適です。ご使用のブラウザ環境では本サイトを閲覧できません。本サイトはMicrosoft社のInternetExplorer(IE)7から11に対応しております。（IE9,10,11は互換表示モードのみ対応） ※IE9,10,11をお使いのお客様で、この画面が表示される場合は、お手数有限会社テクサム｜電流導入端子、ビューイングポート、超高 a 電気暖房器取付・取扱説明書このたびは､インターセントラルの電気暖房器をお買い上げいただき､まことにありがとうございます。この説明書をよくお読みのうえ、正しくご使用ください。お読みになったあと、この説明書はいつでも見られるところに必ず、 2019/10/03

電気伝導率セルチェック液 電気伝導率セルは、長期間使用中に汚れの蓄積、白金黒の脱落等でセル定数が変化していきます。 したがって、塩化カリウム標準液でセル定数の測定、検定を定期的に行う必要があります。

4 Kensetsu Denki Gijyutsu Vol.189 2016.3 1．まえがき SiCやGaNなどのワイドバンドギ ャップ（Wide-band-Gap：以下WBG と記す）半導体を用いた次世代パワ ー半導体デバイスが注目されてい る。高品質なSiCウエハが実用的な

電気伝導率セルチェック液電気伝導率セルは、長期間使用中に汚れの蓄積、白金黒の脱落等でセル定数が変化していきます。したがって、塩化カリウム標準液でセル定数の測定、検定を定期的に行う必要があります。

4 Kensetsu Denki Gijyutsu Vol.189 2016.3 1．まえがき SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ（Wide-band-Gap：以下WBG と記す）半導体を用いた次世代パワー半導体デバイスが注目されている。高品質なSiCウエハが実用的な